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GLOSARIO DE TRANSISTORES

Definición:

Transistor: Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o más electrodos. Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conducción se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el silicio son los materiales más frecuentemente utilizados para elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar prácticamente todas las funciones de las válvulas electrónicas, incluyendo la amplificación y la rectificación. A continuación vamos a observar algunos tipos de transistores:

TRANSISTORES DE BARRERA SUPERFICIAL:

Transistor bidireccional: realiza la función de conmutación en ambos sentidos del flujo de señales, a través de un circuito. Ampliamente utilizado en los circuitos conmutación telefónica.

Transistor bipolar: transistor de punta en el que el emisor y el colector son electrodos de contacto de punta que hacen presión en los centros de las caras de un disco delgado de material semiconductor que sirve de base.

Transistor de aleación-difusión: es el combinado de las técnicas de aleación y difusión de un modo diferente a la de un transistor de difusión-aleación.

Transistor de almacenamiento de carga: es el que la unión base-colector se carga cuando se aplica polarización directa estando la base a nivel alto y el colector a nivel bajo.

Transistor de barrera de unión: construido por aleación de la base con el material terminal de un conductor.

Transistor de barrera intrínseca: transistor tríodo en el que las barreras superficiales están constituidas sobre los lados opuestos de una lámina de germanio tipo n por depresiones grabadas, y ulterior electromoldeo de los puntos de colector y emisor que funcionan como contactos rectificadores.

TRANSISTORES DE BASE DIFUSA:

Transistor de base difusa: transistor en el que es obtenida una región no uniforme de base por difusión gaseosa. La unión base-colector está también formada por difusión gaseosa, por lo tanto la unión base-emisor es una unión convencional de aleación.

Transistor de base metálica: consistente en una base constituida por una película metálica delgada interpuesta entre dos semiconductores tipo n, estando el semiconductor de emisor más dopado que la base a fin de conseguir una mayor relación entre la corriente de electrones y la corriente de huecos. La respuesta de frecuencia es mucho más elevada que la de los transistores convencionales.

Transistor de campo: transistor unipolar.

Transistor de campo interno: tiene dos uniones planas paralelas, con un apropiado gradiente de resistividad en la región base entre las uniones para mejorar las respuestas a elevadas frecuencias.

Transistor de capa de difusión: transistor de unión en las que las uniones finales están constituidas por difusión de impurezas cerca de una unión de crecimiento.

Transistor de cuatro capas: tiene cuatro regiones conductores pero solo tres terminales. Un ejemplo de este tipo es el tiristor.

Transistor de difusión: transistor en el que el flujo de corrientes es resultado de la difusión de portadores donadores o aceptadores, como en un transistor de unión.

Transistor de difusión microaleado: transistor en el que el cuerpo semiconductor es previamente sometido a difusión gaseosa a fin de producir una región de base no uniforme.

Transistor de doble difusión: está formado de dos uniones en la pastilla de semiconductor, por difusión gaseosa de ambos de impurezas p y n. Puede también formarse una región intrínseca.

Transistor de doble emisor: transistor epitaxial planal pasivado p-n-p de silicio que tiene dos emisores para su utilización en interruptores de bajo nivel.

Transistor de doble superficie: transistor de puntas en los que buscadores de emisor y colector están en contacto con los lados opuestos de la base.

Transistor de efecto de campo: transistor en el que la resistencia al paso de la corriente desde el electrodo fuente al electrodo drenador se modula por aplicación de un campo eléctrico transversal entre los electrodos de graduador o puerta. El campo eléctrico modifica la densidad de la capa empobrecida entre las puertas, reduciendo por tanto la conductancia.

TRANSISTORES DE MODULACIÓN DE CONDUCTIVIDAD:

-Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de óxido de sicilio. Cuando en el modo de empobrecimiento, una tensión negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarización nula de puerta. Cuando funciona en el sentido de enriquecimiento, la puerta se polariza en sentido directo para incrementar la carga del canal y aumentar la conductancia de este. Se pueden obtener ambos tipos de funcionamientos de un sustrato de tipo n o de tipo p, respectivamente.

Transistor de efecto de campo multicanal: es en el que se aplica tensiones adecuadas a la puerta de entrada para controlar el espacio entre los canales de flujo de corriente. La utilización de más de un canal permite el empleo de corrientes más intensas sin reducir la respuesta de frecuencia lo que normalmente ocurre cuando se aumenta el tamaño de un dispositivo de canal único para acomodarlo a mayor intensidad.

Transistor de emisor y conductor difusos: es el que tanto el emisor como el colector han sido constituidos por difusión.

Transistor de difusión: transistor de unión, obtenido por enfriamiento brusco después de la función de una determinada región.

Transistor de gancho: tiene cuatro capas alternadas tipo p y n, con una capa flotante entre la base y el colector. Esta disposición da lugar a altas ganancias de la corriente de entrada de emisor.

TRANSISTORES DE MULTIEMISOR:

Transistor de multiemisor: tiene uno o más emisores adicionales. Utilizado principalmente en los circuitos lógicos.

Transistor de película delgada: Transistor de efecto de campo construido enteramente mediante técnicas de películas delgadas para su utilización en circuitos de esta naturaleza. Un electrodo de puerta, de metal delgado, está separado por una película delgada semiconductor que por lo general está constituida por sulfuro de cadmio la corriente circula a lo largo de un canal por  la capa del semiconductor. Entre dos electrodos denominados  fuente y drenador. La intensidad de corriente se consigue mediante la tensión aplicada a la puerta aislada.

Transistor de potencia: transistor de unión que puede trabajar con corrientes y potencias elevadas. Se usa principalmente en circuitos de audio y conmutación.

Transistor de precisión de aleación de silicio: Es en el cual las técnicas de aleación y grabado se combinan para producir una elevada frecuencia de respuesta y un estrecho control de los parámetros de transistor, tal como se requiere para aplicaciones de conmutación de bajo nivel y elevada resolución.

Transistor de puerta de control: Es en el que un electrodo de puerta cubre las uniones del emisor y el colector, permitiendo la aplicación de un campo electrónico a la superficie de la región de la base.

Transistor de puntas: tiene un electrodo base y dos o más puntos de contacto poco separadas entre si, sobre la superficie del germanio tipo n. La presión de los contactos crea una pequeña zona de material tipo p bajo cada contacto produciendo las uniones necesarias para un transistor.

Transistor de punta y de unión: tiene un electrodo base y una punta de contacto además de electrodos de unión.

Transistor de fusión: transistor de unión en que esta se obtiene por fusión de un semiconductor dopado en forma apropiada, permitiendo su solidificación ulterior repetidamente.

Transistor de superficie pasivada: transistor cuya superficie semiconductoras han sido protegidas contra el agua, los iones y otras condiciones ambientales por pasivación, en la cual un compuesto protector está químicamente unido a la superficie del cristal semiconductor.

TRANSISTORES DE UNIÓN ELECTROQUÍMICA:

Transistor de unión: construido de un transistor de unión de aleación que se fabrica colocando gránulos de una impureza tipo p, tal como el indio, encima y debajo de una lámina  de germanio tipo  n, y luego calentando la lámina hasta que la impureza se alee con el germanio dando lugar a un transistor de tipo p-n-p.

Transistor de unión difusa: es en el que los electrodos del emisor y del colector han sido obtenidos por difusión de una impureza metálica en el cuerpo del semiconductor sin calentamiento.

Transistor de tres uniones: tiene tres uniones y cuatro regiones de conductividad alternadas. La conexión del emisor puede tener lugar en la región p a la izquierda la conexión de la base en la región adyacente n.

Transistor de unión electroquímica: construido por ataques de las dos caras opuesto a una placa de germanio tipo n por chorros de una solución salina tal como cloruro de indio, la placa , primeramente positiva con respecto a los de proyección, pasa entonces a ser negativa con relación al deposito de indio sobre los caracteres formados.

TRANSISTORES DE UNIÓN GRADUAL:

Transistor de unión gradual: transistor por crecimiento variable.

Transistor de unión intrínseca: de cuatro capas una de las cuales está formada por semiconductores de tipo i y situada entre la base y el colector, como los transistores       p-n-i-p, n-p-i-n, p-n-i-n y n-p-i-p.

Transistor de zona desierta: transistor de capa agotada.

Transistor del tipo de empobrecimiento: transistor metal-óxido de efecto de campo en el que los portadores de carga existentes presentan una polarización de entrada nula, si bien estas cargas son neutralizadas por la aplicación de una polaridad inversa.

Transistor del tipo de enriquecimiento: transistor MOS de efecto de campo en el que la puerta está polarizada en sentido directo y cubre todo el canal a fin de enriquecer su carga e incrementa su conductancia.

Transistor doblemente dopado: transistor de unión por crecimiento, formado por adición sucesiva de impurezas tipo p y tipo n o la fusión durante el crecimiento del cristal.

Transistor epitaxial de unión difusa: transistor de unión obtenido por crecimiento por una capa delgada de elevada pureza de un material semiconductor fuertemente dopada del mismo tipo.

Transistor epitaxial mesa difuso: en el que la capa epitaxial delgada de elevada resistividad está depositada sobre el sustrato, sirviendo como colector.

Transistor filiforme: transistor de modulación de conductividad cuya longitud es mucho mayor que sus dimensiones transversales.

Transistor mesa: obtenido sometiendo una lámina o pastilla de germanio o sicilio a ataque químico de modo que las regiones correspondientes a la base y al emisor aparezcan escalonadamente como mesetas por encima de la región de colector.

Transistor MOS de efecto de campo: Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor.

TRANSISTORES N-P-N:

Transistor n-p-n: Transistor de unión que tiene una base tipo p entre un emisor tipo n y un colector tipo n. El emisor debe entonces ser negativo con respecto a la base , y el colector positivo.

Transistor n-p-i-n: Transistor de unión intrínseca en el que la región intrínseca está interpuesta entre la base tipo p y las capas tipo n del colector.

Transistor n-p-i-p: Transistor de unión intrínseca en el que la región intrínseca está entre regiones p.

TRANSISTORES N-P-N-P:

Transistor n-p-n-p: Transistor de unión n-p-n que tiene además una capa de transición o flotante entre los regiones p y n, en la que no se establece conexión óhmica. Denominado también transistor p-n-p-n.

Transistor pasivado: Protegido contra fallos prematuros por pasivación.

Transistor pentodo de efecto de campo: tiene cinco terminales que tiene tres puertas. Puede trabajar como pentodo, si se polarizan independientemente cada una de las puertas.

Transistor planar de silicio: Fabricado por la técnica planar, que implica una serie de ataques químicos y difusiones, y que producen un transistor de silicio con una capa de óxido.

Transistor planar de unión: parecido al de unión difusa, pero en el cual se consigue una penetración localizada de las impurezas recubriendo algunas partes de la superficie del cristal con un compuesto de óxido tal como dióxido de silicio. Este proceso se llama pasivación de superficie.

Transistor p-n-i-n: transistor de unión intrínseca en el que la región intrínseca está situada entre regiones n.

Transistor p-n-i-p: Transistor de unión intrínseca en la cual la región intrínseca está entre la base tipo n y el colector tipo p.

Transistor por crecimiento variable: de unión en la cual las impurezas (tales el galio y el antimonio) se disuelven a la vez, y la temperatura asciende y desciende repentinamente para producir capas alternas de tipo p y n. Se llama también transistor de unión gradual.

Transistor simétrico: de unión en lo que los electrodos emisor y colector son idénticos y sus terminales intercambiables.

Transistor tetrodo: transistor de cuatro electrodos, tal como un transistor tetrodo de puntas o un transistor de unión de doble base.

Transistor tetrodo de efecto de campo: con cuatro conductores con dos puertas que permiten el funcionamiento del tetrodo si se utiliza polarización separada para cada puerta.

Transistor tetrodo de puntas: transistor de puntas con un colector y dos emisores.

Transistor tetrodo de unión: transistor de unión de doble base.

Transistor unipolar: transistor que utiliza portadores de carga de una sola polaridad, tal como ocurre en un transistor de efecto de campo.

Transistor uniunión: barra de semiconductor tipo n con una región de aleación tipo p en un lado. Las conexiones se establecen en los contactos de las bases situados en ambos extremos de la barra y en la región p. El transistor tiene una característica análoga a la de un tiratrón entre el terminal de la región p y el terminal de la base negativa.

TRANSISTOR COMPLEMENTARIOS:

Transistor complementario: dos transistores d opuesta conductividad (p-n-p y n-p-n) incorporados en la misma unidad funcional.

TRANSISTORES EN CASCADA.

Transistor de cascada: dos transistores montados en una misma cápsula y conectados en serie.

Transistor en conexión compuesta: disposición de dos transistores en la que la base de uno se conecta al emisor del otro y los dos colectores se conectan entre sí. La combinación debe ser considerada como un transistor simple que posee un elevado factor de amplificación de corriente.

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